項目領域：第三代半導體材料與器件
項目簡介：本項目GaN HEMT具有自主知識產權，器件采用H鈍化的高阻GaN蓋帽層，具有更高的動態特性、耐壓特性和可靠性。相比于目前市面和其他公司正在研發的刻蝕結構器件具有工藝簡單、成本低和性能高等很大的優勢。依托于中科院蘇州納米所進行了前期研究和驗證工作，已經可以進行10A/900V GaN HEMT小試生產。目前，該項目所研制芯片正在蘇州納米所的8inch線上進行工程化驗證。預計項目總體投資規模10億元，力爭在2022年實現批量產品產出。
項目單位：中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所